24.07.2021

Учёные ННГУ в сто раз улучшили светоизлучающие свойства кремния

Учёные Университета Лобачевского в сто раз улучшили светоизлучающие свойства кремния. Им удалось повысить интенсивность светоизлучающих свойств кремния (Si) за счет оптимизации синтеза гексагональной фазы 9R-Si. По результатам исследования опубликована статья в высокорейтинговом журнале Applied Physics Letters: https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0052243

До настоящего времени прогресс микроэлектроники – основы современных информационных технологий – базировался на производстве кремниевых интегральных схем. Сегодня, когда технологии переходят от электронных к фотонным схемам, обострился существенный недостаток кремния – его низкие светоизлучающие свойства. Отказ от кремния как основного материала микроэлектроники только замедлит развитие технологий. Поэтому развитие необходимых светоизлучающих свойств кремния остаётся одной из важнейших задач. Её решение позволит совершить революционный скачок в области обработки и передачи сверхбольших объёмов информации.

Работа была выполнена научно-исследовательской группой лаборатории физики и технологии тонких плёнок Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ) ННГУ. Коллектив авторов представляет известную в России и мире школу ионной имплантации, становление которой в Университете Лобачевского началось более 60 лет назад при участии одного из родоначальников этого метода в нашей стране – профессора Давида Тетельбаума. Учёный возглавляет эту школу и сейчас.

Подробнее: http://www.unn.ru/site/about/news/uchjonye-nngu-v-sto-raz-uluchshili-svetoizluchayushchie-svojstva-kremniya


Возврат к списку

Подготовительные курсы - бесплатно!

Дистанционная школа 800 для выпускников
Готовимся к ЕГЭ - вместе!

Подробнее